ПРЕСНОВ Виктор Алексеевич

2 декабря 1917 г., г. Анжеро-Судженск – 17 июля 1987 г., г. Одесса

Физик, деятель и организатор науки

Выпускник физико-математического факультета ТГУ (1941). По окончании университета некоторое время работал учителем физики в с. Ребриха на Алтае. В конце 1941 г. при призыве в армию получил отсрочку, вернулся в Томск и устроился научным сотрудником лаборатории физиологической оптики Всесоюзного института экспериментальной медицины, эвакуированного в Томск. В мае 1942 г. был призван в действующую армию. Служил сапером, участвовал в боях под Сталинградом, где получил тяжелое осколочное ранение в ногу и правый бок. После демобилизации (1945) вернулся в Томск и стал работать в Сибирском физико-техническом институте (СФТИ) в должности научного сотрудника лаборатории физики диэлектриков. Ученый секретарь института (1947). С 1950 г. – ассистент, затем доцент кафедры физики диэлектриков. В 1958–1964 гг. – заведующий кафедрой полупроводников и диэлектриков радиофизического факультета ТГУ. Одновременно с 1957 г. – заведующий проблемной лабораторией полупроводников. Ученое звание профессора (1961). В 1964–1968 гг. – директор и научный руководитель предприятия а/я 85 (с 1966 г. – НИИ полупроводниковых приборов (НИИ ПП) Министерства электронной промышленности). В 1953 г. за работу «Физические основы спая стекла и керамики с металлом» был удостоен премии Министерства высшего образования за лучшую научно-исследовательскую работу. В.А. Преснов положил начало исследованиям в СФТИ в области физики полупроводников. В 1957 г. по его инициативе была открыта лаборатория полупроводников, преобразованная в 1973 г. в отдел физики полупроводников. Разработал технологию выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs, изготовления диодов на его основе по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда, технологию очистки веществ, химического анализа высокочистых веществ. В.А. Преснов – автор оригинальных работ в области кристаллохимии полупроводников. Предложил новые методы выращивания полупроводниковых пленок, новые способы модификации свойств полупроводников путем введения примесей переходных металлов, оригинальные способы формирования контактов металлов с полупроводниками и способы стабилизации поверхности полупроводников. Под руководством В.А. Преснова в НИИ ПП было сформировано основное научно-производственное направление, ориентированное на использование арсенида галлия и его аналогов в излучающих и СВЧ-приборах, разработаны соответствующие приборы, налажен их выпуск. С 1968 г. В.А. Петров заведовал кафедрой физической электроники Одесского университета и занимался биомедицинской электроникой. Заслуженный деятель науки УССР. Кандидат физико-математических наук (1950). Доктор технических наук (1959). Автор более 100 работ, в том числе 2 монографий, получил более 20 авторских свидетельств на изобретения. Под руководством В.А. Преснова было выполнено более 30 кандидатских диссертаций. Многие из его учеников стали докторами наук. Награжден орденом Красной Звезды (1943), медалью «За победу над Германией в Великой Отечественной войне 1941–1945 гг.» (1947).